Bueno aquí les dejo esta noticia, para que se las digan a sus amigos y digan que son bien gandayas xD:

 

Mejoras en la memoria
Unos nuevos algoritmos permiten doblar el almacenamiento flash sin tener que reducir el tamaño de los transistores.

Fuente: "A 5.6 MB/s 64 Gb 4b/Cell NAND Flash Memory in 43nm CMOS"
Cuong Trinh et al.
2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference, February 10, 2009, San Francisco, CA

Resultados: Un grupo de investigadores en Toshiba y SanDisk, un fabricante de dispositivos de memoria flash en Milpitas, California, han construido un chip de 64 gibabits capaz de contener 4 bits de datos por cada célula de memoria, el doble que almacenan las células en los chips convencionales.

 
Importancia: Para incrementar la cantidad de datos que se pueden almacenar en los chips de memoria, los ingenieros normalmente reducen el tamaño de los transistores que componen cada célula individual. Sin embargo, al reducir los transistores, también se suele reducir su fiabilidad puesto que generan más calor y suelen desperdiciar más corriente eléctrica. Aunque los investigadores de SanDisk siguen explorando la forma de hacer que los transistores sean más pequeños sin por ello comprometer su fiabilidad, este nuevo método hace posible que se pueda almacenar más información sin tener que encoger los transistores.

 

Metodología: En las memorias flash convencionales, cada transistor almacena dos bits de datos, y cada uno de ellos está definido por un nivel de voltaje distinto. Una variación de esta tecnología permite almacenar cuatro bits por cada transistor, aunque se necesitan unos niveles de voltaje más precisos que se pueden ver interrumpidos por las diferencias de voltaje extremas entre los transistores, lo que provocaría que se borrasen los datos. Los investigadores de SanDisk han creado un algoritmo que controla la forma en que se escriben los datos en el chip y permite que las diferencias de voltaje entre los transistores se mantengan al mínimo.

Siguientes pasos: La compañía espera que el chip se empiece a producir durante la primera mitad de 2009. Los chips futuros utilizarán un principio similar, sin embargo, y puesto que las características eléctricas de los transistores cambiarán a medida que se fabriquen a menor tamaño, para poder aplicar este método a la nueva generación de chips de memoria habrá que crear nuevos algoritmos que tomen estos cambios en cuenta.

 

jejeje estén informados gracias a jazielblog xD.

 

Salu2